실리콘 기판에서 인듐 확산에 관한 제1 원리 계산/

Title
실리콘 기판에서 인듐 확산에 관한 제1 원리 계산/
Authors
윤관선
Keywords
인듐
Issue Date
2007
Publisher
인하대학교
Abstract
본 연구에서는 216개의 실리콘 원자 격자에 하나의 규소를 첨가하여 그 상태에서의 에너지를 구하였다. 그 결과 인듐의 경우, 가장 낮은 에너지를 갖은 인듐의 결함 배위는 인듐이 실리콘 격자에 위치하고 격자에서 빠져나온 실리콘이 사면체 침입형 자리에 위치하는 배위로 조사되었다. 두 번째로 낮은 에너지를 갖은 배위는 인듐이 실리콘 격자의 사면체 침입형 자리에 위치하는 형태로 최소 에너지 배위보다 0.43 eV 높은 에너지를 갖는 것으로 나타났다. 이는 최소
Description
제 1 장 서론 = 1 제 2 장 확산 경로 및 장벽 에너지 = 4 2.1 계산 방법 및 이론 = 4 2.2 붕소(B)의 결함 에너지 및 확산 경로 = 7 2.3 인듐(In)의 결함 에너지 및 확산 경로 = 11 2.4 전이 상태 이론 (Transition state theory) = 15 2.4.1 이합체 방법 (Dimer method) = 15 2.4.2 NEB 방법 (Nudged elastic band method) = 17 2.5
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/9166
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College of Engineering(공과대학) > Graduate School of Engineering (공학대학원) > Theses(공학대학원 석박사 학위논문)
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