반응성 이온 식각을 이용한 수직적인 식각구조물 제작/

Title
반응성 이온 식각을 이용한 수직적인 식각구조물 제작/
Authors
이승용
Issue Date
2008
Publisher
인하대학교
Abstract
깊은 트렌치구조(trench structure)를 형성하거나 50um 이상의 수직 구조물을 형성할 경우에 일반적으로 적용하는 보쉬공정(Bosch process)은 측벽 폴리머막 형성(sidewall passivation polymerization)과 하벽식각(bottom etching)을 반복하는 방법을 사용하기 때문에 측벽에 굴곡(scallop) 형태가 남아있거나 하면코너(bottom corner)가 둥글게 처리되는 문제를 남긴다. 본 연구에서는 하면
Description
제1장. 서 론 = 1 제2장. 보쉬공정 = 3 제3장. 실험장치의 구조 및 특성 = 6 3.1 유도결합플라즈마(ICP) 식각장치의 구조 = 6 3.2 측정방법 = 10 3.3 시료제작 및 분석 = 13 3.4 기존의 보쉬공정의 전용 장비와 유도결합플라즈마(ICP)를 이용한 보쉬공정과의 차이 = 14 제4장. 실험 방법 및 결과 = 16 4.1 실험방법 = 16 4.2 소스전력(Source power)의 영향 = 18 4.3 기판 전압(Bi
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/19996
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College of Engineering(공과대학) > Computer Engineering (컴퓨터공학) > Theses(컴퓨터정보공학 석박사 학위논문)
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