투자율이 높은 NiFe 코어를 이용한 마이크로 트랜스포머 제작

Title
투자율이 높은 NiFe 코어를 이용한 마이크로 트랜스포머 제작
Authors
조세준
Keywords
투자율이높은nife코어를이용한마이크로트랜스포머제작
Issue Date
2010
Publisher
인하대학교
Abstract
현재 전자기기의 소형화 추세에 맞물려 수동 소자 중의 하나인 트랜스포머의 소형화가 큰 이슈가 되고 있다. 본 논문에서는 실리콘 웨이퍼 위에 트랜스포머와의 절연층을 삽입 하여 기판의 에디 커런트로 오는 멤돌이 손실의 영향을 줄이고 중간 코어를 투자율이 높은 퍼멀로이로 설계하여 1차 코일과 2차 코일의 턴 수의 비를 기준으로 1:1인 트랜스포머(3/3, 5/5, 7/7)를 제작하여 측정 하였다. Ground shield를 포함한 트랜스포머의 크기는 각각 1
Description
1장 서론 1 2장 배경이론 3 2.1. MEMS의 정의 3 2.2. 트랜스포머 5 2.2.1. 트랜스포머 구조 및 동작 특성 5 2.2.2. 트랜스포머 동작 원리 7 2.2.3. 트랜스포머 성능 파라미터 8 2.2.3.1 상호인덕턴스 9 2.2.3.2 S 파라미터 11 2.2.4. 트랜스포머 손실 요인 13 2.2.4.1 도체에서 발생되는 손실 13 2.2.4.2 기생 커패시턴스에 의한 손실 19 2.2.
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/18243
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College of Engineering(공과대학) > Electronic Engineering (전자공학) > Theses(전자공학 석박사 학위논문)
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