광소자 응용을 위한 P 도핑된 ZnO 박막의 광학적, 전기적 특성에 관한 연구/

Title
광소자 응용을 위한 P 도핑된 ZnO 박막의 광학적, 전기적 특성에 관한 연구/
Authors
한정우
Issue Date
2009
Publisher
인하대학교
Abstract
본 연구에서는 펄스 레이저 (PLD) 법을 이용하여 P(phosphorus) 도핑된 ZnO(zinc oxide) 박막의 제작과 열처리 및 가스 분위기를 이용하여 p 형 ZnO 박막의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 산소 분위기에서 열처리한 결과, 모든 박막이 c-축으로 배향되었으며 (002) 회절 피크만이 관찰되었다. Hall 측정 결과, 850℃에서 후열 처리한 박막에서만 p 형 전도 특성이 관찰되었다. 이때의 홀 캐리어 농도와 홀 이동도는 각각
Description
1. 서론 = 1 2. 이론적 배경 = 5 2.1. 구조적 특성 = 5 2.2. 전기적 특성 = 8 2.3. 광학적 특성 = 10 2.3.1 PL 특성 = 10 2.3.2 반도체의 발광 메커니즘 = 13 2.3.3 ZnO 발광과 엑시톤 = 18 2.4. ZnO 박막의 제조 방법 (Pulsed Laser Deposition) = 20 3. 실험 방법 = 29 3.1. 박막의 증착 = 29 3.2. 박막의 분석 및 측정 = 30 4.
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/18216
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College of Engineering(공과대학) > Electronic Engineering (전자공학) > Theses(전자공학 석박사 학위논문)
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