고출력 전자기파에 의한 반도체 전자회로의 민감성 분석

Title
고출력 전자기파에 의한 반도체 전자회로의 민감성 분석
Authors
황선묵
Keywords
고출력전자기파에의한반도체전자회로의민감성분석
Issue Date
2010
Publisher
인하대학교
Abstract
본 연구는 반도체 전자회로에 대한 민감성 분석의 정량화와 파괴 진행경로를 해석하기 위해서 협대역과 광대역 고출력 전자기파에 의한 영향을 알아보았다. 그리고 IC 테스트 진단기법과 함께 Decapsulation 분석을 수행하여 정량화와 파괴 메커니즘을 도출하고자 하였다. 사용된 반도체 소자는 반도체의 구조와 제조 기술에 따른 로직 반도체(Inverter, NAND), 마이크로컨트롤러(8051), LNA(Low Noise Amplifier) 소자를 사용하였
Description
제 1 장 서 론 1 1.1 연구 배경 1 1.2 연구 목적 및 내용 7 제 2 장 관련 이론 9 2.1 EMT(Electromagnetic Topology)를 이용한 커플링 이론 7 2.2 래치업(Latch-up) 이론 23 2.3 본드와이어의 용단(Fusing)전류와 용단시간 이론 27 2.4 D-dot 센서 이론 31 제 3 장 실험방법 및 장치 41 3.1 반도체 소자의 분류 41
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/17420
Appears in Collections:
College of Engineering(공과대학) > Electrical Engineering (전기공학) > Theses(전기공학 석박사 학위논문)
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