Pre-Implant 기법 모델링을 이용한 반도체 극미세 접합 형성에 관한 연구/

Title
Pre-Implant 기법 모델링을 이용한 반도체 극미세 접합 형성에 관한 연구/
Authors
박순열
Keywords
pre-amorphization implant
Issue Date
2009
Publisher
인하대학교
Abstract
반도체 기술의 발달로 소자의 크기가 나노 단위에 이르게 되면서 단 채널 효과를 줄이기 위한 방안으로 극미세 접합 형성을 위한 접합 기술 분야가 큰 관심을 받게 되었다. 최근 극미세 접합을 형성하기 위해서 기존의 이온 주입 기술을 활용한 Pre-Implant 기법이 각광을 받고 있다. 특히 실리콘 이온 주입을 통한 기판의 비결정질화 기법(PAI; Pre-Amorphization Implant) 이나 탄소 이온 주입 기법(Carbon Co-Implant)
Description
제 1 장 서론 = 1 제 2 장 확산 모델링 = 3 2.1 기본 확산 방정식 = 3 2.2 점결함(pointdefect) = 4 2.3 원자 단위 확산 모델링 = 9 2.3.1 결함의 형성 및 이동 = 9 2.3.2 붕소(B) 확산 메커니즘 = 16 제 3 장 동역학적 몬테 카를로(kineticMonteCarlo) = 18 3.1 동역학적 몬테 카를로 알고리즘 = 18 3.2 Pre-Implant 공정 모델링 = 24 3.2.1 S
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/17401
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College of Engineering(공과대학) > Electrical Engineering (전기공학) > Theses(전기공학 석박사 학위논문)
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