응력을 받은 실리콘 기판에서 보론의 확산에 관한 제1원리 계산과 동역학적 몬테 카를로를 활용한 원자단위 모델링/

Title
응력을 받은 실리콘 기판에서 보론의 확산에 관한 제1원리 계산과 동역학적 몬테 카를로를 활용한 원자단위 모델링/
Authors
김영규
Keywords
Strained Silicon, Boron, Diffusion, Atomistic Modeling
Issue Date
2008
Publisher
인하대학교
Abstract
본 논문에서는 차세대 데카나노미터급 실리콘 집적회로 공정에서 응력을 받는 실리콘(strained silicon)에서의 도펀트(dopant)의 거동 해석을 위하여, 양자역학적 제1원리 계산(Ab-initio)에 입각하여 물리적 해석 모델(model)을 추출하여 제시하고, 이를 바탕으로 동역학적 몬테 카를로(kinetic Monte Carlo) 기법에 입각한 원자단위 수치 해석을 적용함으로써 데카나노미터 전계효과트랜지스터(FET)의 소자 설계를 위한 정밀한
Description
제1장 서론 = 1 제2장 실리콘 기판에서 불순물의 확산 이론 = 4 2.1 점결함 (결공과 틈새원자) = 4 2.2 점결함의 형성 및 이동 = 7 제3장 양자역학적 제1원리 계산(Ab-initio) = 16 3.1 양자역학적 기본 이론 = 16 3.2 전이 상태 이론(Transition state theory) = 18 3.2.1 이합체 방법(Dimer method) = 18 3.2.2 Nuged Elastic Band(NEB) 방법 =
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/17385
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College of Engineering(공과대학) > Electrical Engineering (전기공학) > Theses(전기공학 석박사 학위논문)
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