X-선 반사율을 이용한 극자외선용 흡수체 물질의 광학상수 결정

Title
X-선 반사율을 이용한 극자외선용 흡수체 물질의 광학상수 결정
Authors
남현정
Keywords
x선반사율을이용한극자외선용흡수체물질의광학상수결정
Issue Date
2010
Publisher
인하대학교
Abstract
최근 해상도 향상을 위해 13.5nm의 짧은 파장을 사용하는 극자외선 리소그래피(Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL) 기술이 22 nm이하의 크기를 갖는 반도체 소자의 패턴 형성을 위하여 개발되고 있다. 13.5 nm의 파장에서는 모든 물질에서 흡수가 있기 때문에 EUVL에서는 반사형 광학계와 반사형 마스크를 사용하고 있다. EUVL용 반사형 마스크는 높은 반사율을 갖는 거울과 패터닝을 위한 흡수체로 구성된다. 고반사거울
Description
제 1장 서론 1 제 2장 EUV에서의 광학상수 및 반사율 5 제 3장 마스크의 구조 55 제 4장 X-선 반사율을 이용한 EUV에서의 광학상수 결정 74 제 5장 EUVL용 마스크의 반사율 전산시늉 100 제 6장 결론 104 참고문헌 105
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/14858
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College of Natural Science(자연과학대학) > Physics (물리학) > Theses(물리학 석박사 학위논문)
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