실리콘 기판위에서의 풀러린 흡착연구/

Title
실리콘 기판위에서의 풀러린 흡착연구/
Authors
심형준
Keywords
stm
Issue Date
2008
Publisher
인하대학교
Abstract
Si(111)7×7 표면과 Si(111)√3×√3-Ag 표면에서의 분자 흡착 실험을 STM을 이용하여 수행하였다. Si(111)7×7 표면의 경우, 낮은 덮임율에서 상온 흡착된 분자들이 표면에 무작위(randomly)로 분포하고, 덮임율을 증가시켜 상온 증착을 한 후 표면을 post annealing하면 분자들이 서로 반데르발스 힘이 작용되어 결합을 이루면서 국지적으로 정돈된 hexagonal 배열 구조를 형성하게 된다. 반면, 분자는 Si(111)√3
Description
제1장 소개 = 1 제2장 주사터널현미경의 원리 = 3 2.1. Electron Tunneling = 3 2.2. 토포그래피 얻기 = 5 제3장 장비소개 = 7 3.1. 초고진공 챔버 = 7 3.2. Variable Temperature STM = 10 제4장 Experiment = 15 제5장 Si(111)7×7 표면에서의 C_(70)분자 흡착 = 17 5.1. Si(111)7×7 표면 = 17 5.2. Si(111)7×7 표면에서의 C_(
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/14842
Appears in Collections:
College of Natural Science(자연과학대학) > Physics (물리학) > Theses(물리학 석박사 학위논문)
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