전해도금법을 통해 형성된 ZnO 막대의 광 전기화학적 특성=

Title
전해도금법을 통해 형성된 ZnO 막대의 광 전기화학적 특성=
Authors
김혜영
Keywords
산화아연
Issue Date
2009
Publisher
인하대학교
Abstract
ZnO는 3.37eV의 밴드갭을 갖는 n형 반도체 산화물로써, 빛을 투과하고 전도성을 갖는다. ZnO는 연료감응 태양전지의 전극 물질로 주목 받고 있다. 전기화학 방법으로 증착된 ZnO는 형태와 두께를 정밀하게 조절할 수 있고, 장치가 간단하고 비용이 적게 드는 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는, ZnO 막대를 ITO 유리 위에 전기화학적으로 직접 성장시킬 수 있었다. ZnO 막대의 구조는 용액 온도, 전류밀도, 증착 시간, 열처리 등에 의해 영향을 받
Description
1. 서론 = 1 2. 이론 = 3 2.1. ZnO 결정 구조 = 3 2.2. ZnO의 전기적·광학적 특성 = 7 2.3. ZnO의 증착 방법 = 8 2.3.1. Magnetron sputtering법 = 9 2.3.2. Sol-gel법 = 11 2.3.3. PLD(Pulsed Laser Deposition)법 = 13 2.3.4. Electrodeposition법 = 15 3. 실험 = 19 3.1. ZnO buffer layer
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/14137
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College of Engineering(공과대학) > Chemical Engineering (화학공학) > Theses(화학공학 석박사 학위논문)
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