Ni, NiO 그리고 TiO2 박막의 식각공정 개발=

Title
Ni, NiO 그리고 TiO2 박막의 식각공정 개발=
Authors
조한나
Keywords
OxRRAM
Issue Date
2008
Publisher
인하대학교
Abstract
최근에 외부 인가전압에 의해 소자의 전기적 저항특성이 변하는 원리를 이용한 비휘발성 저항 메모리가 연구되고 있다. 여러 가지 저항메모리 중에서, 산화물 저항 메모리(resistance random access memory; ReRAM)의 저항체 물질로 사용되는 NiO와 TiO2 박막, 그리고 전극으로 사용되는 Ni 박막의 식각 공정 연구를 하였고 이에 따른 식각 메커니즘 규명을 하였다. 본 연구에서는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductive
Description
1. Introduction = 1 2. Theoretical background = 4 2.1. 저항 메모리의 종류와 특징 = 5 2.1.1 Schottky barrier = 5 2.1.2 Filament = 5 2.1.3 Ion migration = 6 2.2. 식각의 정의 및 분류 = 7 2.2.1 습식 식각(Wet etching) = 8 2.2.2 건식 식각(Dry etching) = 8 3. Experimental = 10
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/14104
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College of Engineering(공과대학) > Chemical Engineering (화학공학) > Theses(화학공학 석박사 학위논문)
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