SOFC용 음극/전해질 간 buffer 층 도입에 따른 계면 및 전기화학적 특성에 관한 연구

Title
SOFC용 음극/전해질 간 buffer 층 도입에 따른 계면 및 전기화학적 특성에 관한 연구
Authors
이대진
Keywords
sofc용음극전해질간buffer층도입에따른계면및전기화학적특성에관한연구
Issue Date
2010
Publisher
인하대학교
Abstract
음극지지형 SOFC는 음극과 전해질 소재가 유사해 반응성은 큰 문제가 없으나 다공성을 갖는 음극지지체 위에 조밀한 전해질 층을 구성하여야 한다. 또한 YSZ 전해질 층의 두께는 누설 방지와 임피던스 성능을 위해 15 ㎛ 수준으로 요구된다. 위의 전해질 층을 조밀구조이며 요구되는 얇은 두께로 형성성하는 방법은 스크린법과 용사법이 있다. 스크린 법은 음극지지체의 표면의 처리가 평활하여야만 균일한 두께의 전해질 층을 얻을 수 있고 전해질 슬러리가 다공성지지체
Description
제 1 장 서론 1 제 2 장 이론적 배경 4 2.1. 고체산화물연료전지(SOFC) 4 2.2. 고체산화물연료전지의 구성성분 및 요구조건 5 2.2.1. 음극(Anode, 연료극) 5 2.2.2. 전해질 (electrolyte) 7 2.2.3. 양극(Cathode, 공기극) 9 2.2.4. 완충층(Buffer layer) 10 2.3. 단위 전지 구성 11 2.4. 열역학적 원리 15 제 3 장 실
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/11918
Appears in Collections:
College of Engineering(공과대학) > Materials Science & Engineering (신소재공학) > Theses(신소재공학 석박사 학위논문)
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