나노결정 실리콘 박막의 구조 및 광학적 특성/

Title
나노결정 실리콘 박막의 구조 및 광학적 특성/
Authors
심재현
Issue Date
2009
Publisher
인하대학교
Abstract
PECVD 기법에 의해 수소화된 비정질 Si (a-Si:H) 박막을 제조 하였으며, 제조된 박막위에 RF-마그네트론 스퍼터 기법을 통하여 Al 박막을 증착하였다. 제조된 Al/a-Si:H 박막은 350 ∼ 500 ℃ 범위에서 15 분간 후 열처리 공정을 통하여 결정화를 유도 하였다. 제조된 박막은 열처리과정을 통하여 Al과 a-Si:H 박막의 계면에서 확산된 Al 원자에 의한 Si의 핵생성 및 결정화가 일어나고 있다는 사실을 TEM 이미지 상에서 관찰
Description
Ⅰ. 서론 = 1 1-1. 연구배경 = 1 1-2. 연구의 동기 = 4 1-3. 연구의 목적 및 내용 = 8 참고문헌 = 10 Ⅱ. 문헌 연구 = 11 2. 1. Si의 발광 메카니즘 = 11 2. 1. 1. 양자 제한 효과 = 14 2. 1. 2. 발광성 결함 센터 = 20 2. 2. 직류 바이어스 영향 = 24 2. 3. 금속유도 결정화(metal induced crystallization: MIC) = 28 2. 4. 수소화된
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/11908
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College of Engineering(공과대학) > Materials Science & Engineering (신소재공학) > Theses(신소재공학 석박사 학위논문)
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