스퍼터링 방법으로 증착된 ZrO2기반 Al/ZrO2/Si 캐패시터의 전기적 성질/

Title
스퍼터링 방법으로 증착된 ZrO2기반 Al/ZrO2/Si 캐패시터의 전기적 성질/
Authors
이재호
Issue Date
2009
Publisher
인하대학교
Abstract
ZrO₂게이트 유전체 박막은 RF-magnetron 스퍼터링에 의해 증착하였고 그것의 구조, 표면형태 및 전기적 특성이 연구되었다. 산소유입 유속이 증가함에 따라 그 표면이 더 부드러워지는 것을 발견하였다. 실험결과는 고온열처리가 바람직한 것으로 나타났는데 이것은 고온 Annealing이 ZrO₂/Si 계면에서의 계면 누설전류를 감소시킴에 따라 ZrO₂게이트 유전체 박막의 전기적 특성을 향상시키기 때문이다. 캐리어 이동 메커니즘은 열전자 방출에 의해 결
Description
Ⅰ. 서론 = 1 Ⅱ. 이론적 배경 = 2 1. 개 요 = 2 2. 게이트 유전체로서 SiO2의 한계 = 2 2-1. 고유전체 박막 결과 = 3 3. ⅢA와 ⅢB 족의 금속 산화물 = 6 4. ⅣB족 금속 산화물 = 9 4-1. 유사 이원소 합금 = 17 4-2. 고유전체 선택시 고려사항 = 22 Ⅲ. 실험방법 = 26 Ⅳ. 결과 및 고찰 = 27 Ⅴ. 결론 = 35 참고문헌 = 36
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/11896
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College of Engineering(공과대학) > Materials Science & Engineering (신소재공학) > Theses(신소재공학 석박사 학위논문)
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