다공성 실리콘의 금속박막에 따른 Photoluminescence 특성/

Title
다공성 실리콘의 금속박막에 따른 Photoluminescence 특성/
Authors
김호형
Issue Date
2009
Publisher
인하대학교
Abstract
(1) 양극산화법으로 제조된 다공성 실리콘의 발광 특성 다공성 실리콘(Porous Silicon)은 양자구속효과로 인해 1.12 eV - 2.5 eV에 이르는 유효 band gap energy를 가진 빛을 방출하는 특성을 갖고 있으며 크기와 모양이 다양한 수많은 기공들을 갖고 있다. 최근 다공성 실리콘은 기존의 실리콘 제조 설비와의 접목이 가능하고 다른 전자회로들과 함께 집적할 수 있는 적용 가능성으로 인해 광전자 소자로서의 구조적, 화학적, 광학적 특
Description
Ⅰ. 서론 = 1 참고문헌 = 3 Ⅱ. 이론적 배경 = 4 2. 1. 다공성 실리콘의 생성 메커니즘 = 4 2. 1. 1. Beale 모델 = 7 2. 1. 2. 확산-제한 모델(Diffusion-limited model) = 7 2. 1. 3. 양자 모델(Quantum model) = 9 2. 2. 다공성 실리콘의 발광 메커니즘 = 11 2. 2. 1. Hydrogenated amorphous silicon model = 11
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/11894
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College of Engineering(공과대학) > Materials Science & Engineering (신소재공학) > Theses(신소재공학 석박사 학위논문)
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