광대역 SLD를 위한 결합 양자점 성장 및 특성평가/

Title
광대역 SLD를 위한 결합 양자점 성장 및 특성평가/
Authors
박성준
Keywords
양자점
Issue Date
2008
Publisher
인하대학교
Abstract
고출력 반도체 광원은 고출력 리이저 다이오드 (Laser Diodes : LD) 와 고휘도 광원 ( Super-Luminescence Diode : SLD )으로 구분할 수 있다. 고출력 레이저다이오드는 정보통신분야, 의료분야, 제료가공분야, 전자분야, 그 외 각종 센서 분야 등 첨단산업의 광범위한 분야에서 핵심기술로 이용되고 있으며 앞으로도 각기 고유의 응용분야를 계속 확대할 수 있는 응용성과 시장성이 대단히 큰 기술이다. 양자점을 이용한 고휘도 광원
Description
요약 = 1 Abstract = 2 1장 서론 = 3 2장 이론 배경 = 5 2.1 자발 형성 양자점 = 5 2.1.1 양자구조 및 양자 구속 효과 = 5 2.1.2 양자점의 형성 및 에피택시 성장모드 = 8 2.2. 성장기구와 Stranski-Krastanow(S-K) 성장모드 = 11 2.3. Atomic Layer Epitaxy (ALE) 성장 방법 = 15 2.4. In(Ga)As ALE 양자점의 특성 = 19 2.5. 양자점의 응용
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/11857
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College of Engineering(공과대학) > Materials Science & Engineering (신소재공학) > Theses(신소재공학 석박사 학위논문)
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