나노 기공 유전체 박막을 이용한 임베디드 캐패시터에 대한 연구/

Title
나노 기공 유전체 박막을 이용한 임베디드 캐패시터에 대한 연구/
Authors
정승원
Keywords
임베디드 캐패시터
Issue Date
2007
Publisher
인하대학교
Abstract
임베디드 캐패시터 기술은 개별적으로 존재하던 기존의 캐패시터와 비교하여 전기적 수행능력과 어셈블리 가격 등을 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, Cu/FR-4 기판 위에 양극산화법으로 박막의 구조를 제어한 TiO₂와 Al₂O₃는 임베디드 캐패시터 응용에 있어 매우 큰 장점이 있다. 그 이유는 낮은 제조 가격, 높은 신뢰성과 전기적 특성 그리고 회로 설계시 소형화 등을 할 수 있는 이점이 있기 때문이다. 임베디드 캐패시터는 인쇄회로기판 (Printed C
Description
1. 서론 = 1 2. 이론적 배경 = 3 2.1 임베디드 수동소자 기술 (Embedded Passive Tech.) = 3 2.2 임베디드 캐패시터 (Embedded capacitor) = 7 2.3 양극산화법 (Anodizingmethod) = 10 2.3.1 양극산화피막의 종류 = 10 2.3.2 양극산화 피막의 생성원리 = 15 2.4 스퍼터링 시스템 = 16 2.4.1 스퍼터링 = 16 2.4.2 스퍼터링 효율 (sputt
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/11841
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College of Engineering(공과대학) > Materials Science & Engineering (신소재공학) > Theses(신소재공학 석박사 학위논문)
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