Atomic Layer Deposition을 이용한 p-type ZnO 에피층의 성장과 특성 조사=

Title
Atomic Layer Deposition을 이용한 p-type ZnO 에피층의 성장과 특성 조사=
Authors
김경하
Keywords
Atomic Layer Deposition
Issue Date
2007
Publisher
인하대학교
Abstract
최근 많은 연구자들이 고품위의 zinc oxide(ZnO) 박막을 사파이어와 같은 동종 기판 위에 성장시키고 있다. 이것은 ZnO 박막이 좋은 광학적, 전기적 특성을 지녔기 때문에 light emitting diode(LED), laser diode(LD), 자외선 검출기 등과 같은 곳에 적용하여 고효율의 특성을 얻을 수 있기 때문이다. 본인은 이 논문에서 atomic layer deposition(ALD)법을 이용한 고품위의 p-type ZnO 박막
Description
1. 서론 = 1 2. 이론적 배경 = 8 2.1. Fundamentals of ZnO = 8 2.1.1. The crystal structure of ZnO = 8 2.1.2. The physical properties of ZnO = 9 2.1.2.1. The defects of ZnO = 9 2.1.3. Optical properties of ZnO = 13 2.1.3.1. Visible luminescence of ZnO
URI
http://dspace.inha.ac.kr/handle/10505/11817
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College of Engineering(공과대학) > Materials Science & Engineering (신소재공학) > Theses(신소재공학 석박사 학위논문)
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